Durant el dia d'ahir vaig tenir la oportunitat d'explicar breument durant una xerrada les coses que faig. Vaig parlar de fabricació de nanoestructures electro-mecàniques i de caracterització d'aquestes estructures.
Aquesta és una de les transparències que he fet servir. Crec que aquestes figures resumeixen clarament processos de fabricació fent servir EBL (litografia per feix d'electrons) combinada amb mètodes d'adició i subtracció.
Descripció de passos:
1- És del punt de partida. Simbolitza un xip o una oblea SOI. SOI (Silicon on Insulator) vol dir que tens un substrat de silici (taronja de sota), una capa aillant d'òxid de silici (blau) i cara de components de silici (taronja superior).
2- En aquest pas es neteja el xip o oblea i es diposita una resina sensible als electrons.
3- Aquesta és la etapa de litografia per feix d'electrons. Mitjançant un EBL es controla als electrons perquè exposin la resina a les zones que vulguis fent el disseny desitjat. Tot seguit es revela i la part exposada (que ha vist augmentada la seva solubilitat si es tracta de resina positiva) s'elimina del xip.
Mètode addició:
4a- Aquesta etapa servei per definir pads de metall sobre el xip SOI. Es pot fer servir la tecnologia de Sputtering o la d'Evaporació per fer "ploure" una pluja de metall sobre el xip.
5a- Per lift-off (bany en acetona si hem fet servir com a resina PMMA) s'elimina la resina. Finalment només queda metall a les zones on hem exposat amb l'EBL.
Alternativa, mètode subtracció:
4b- Es fa un gravat sec o humit del xip o oblea. La resina actuarà de màscara protegint el silici que volem preservar i deixant que el procés de gravat remogui silici no protegit.
5b- Es neteja la resina residual. Finalment hem gravat el silici dispositiu just a les zones on havíem fet la litografia EBL.
Cap comentari:
Publica un comentari a l'entrada